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Alta calidad hecho en Estados Unidos Transistor de potencia Irgbc20F Transistor Mosfet para exportación al por mayor

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PRIMA ELECTRO S.p.A.2 yrsIT
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IRGBC20F
Tipo
IGBT Transistor
Marca
/
Tipo de paquete
Otros

Otros atributos

Tipo de montaje
/
Descripción
/
Lugar del origen
United States
PAQUETE/cubierta
/
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
600 V
Frecuencia de funcionamiento
TO-220AB

Embalaje y entrega

Puerto
Genoa
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