Tipo de montaje
SMD/SMT, Montaje en superficie
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo
Transistor, Transistor bipolar, Transistor de fines generales
Temperatura de funcionamiento
-55 °C A + 150 °C
Los medios disponibles
Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Aplicaciones
Propósito general
Número de parte
SBC856BLT1G
Calidad
Original y nuevo solamente
Estado de RoHS
Cumple con ROHS
Pago
Garantía de comercio \ TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ Escrow
Envío
DHL \ FEDEX \ UPS \ TNT \ EPACK \ POST DE CHINA