Descripción
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Módulo/tipo de placa
N-Channel
Procesador de núcleo
standard
Tamaño del núcleo
standard
Tamaño de la memoria de programa
standard
Convertidores de datos
standard
Controlador serie
standard
-Tensión de alimentación
standard
PAQUETE/cubierta
TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
Número de núcleos/ancho de Bus
standard
RAM controladores
standard
Aceleración de gráficos
standard
Pantalla y controladores de interfaz
standard
Referencia cruzada
standard
Product Name
Transistor MOSFETs
Package
Tape & Reel (TR) / Cut Tape (CT) / Digi-Reel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250uA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
