Descripción
N-CH MOSFET 240V 110MA SOT23-3
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Módulo/tipo de placa
Canal N
Procesador de núcleo
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Tamaño del núcleo
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Tamaño de la memoria de programa
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Convertidores de datos
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Controlador serie
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-Tensión de alimentación
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PAQUETE/cubierta
TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3
Número de núcleos/ancho de Bus
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RAM controladores
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Aceleración de gráficos
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Pantalla y controladores de interfaz
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Referencia cruzada
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Nombre del producto
Transistores de un solo FET
Paquete
Tape & Reel (TR) / Cut Tape (CT) / Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
240 V
Corriente-Drenaje continuo (Id) a 25 °C
110mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10V
Rds en (máximo) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (TH) (Max) @ Id
1,8 V @ 56uA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3,1 nC @ 10 V
