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DRAM IC AIT ES D TR, 16GBIT, 2.133GHZ, 200WFBGA, a la venta

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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen
China
Marca
Original
Número de Modelo
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
Descripción
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Tipo de embajaje
Tape & Reel (TR)
Función
Memory
Aplicación
Memory
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo
Volatile
PAQUETE/cubierta
200-WFBGA
Serie
Automotive, AEC-Q100
Características
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Código de fecha de fabricación
Newest
Referencia cruzada
-
Química de la batería
-
Memory Format
DRAM
Memory Size
16Gbit
Memory Organization
512M x 32
Memory Interface
-
Clock Frequency
2.133 GHz
Write Cycle Time - Word Page
-
Access Time
-
Voltage - Supply
1.1V
Technology
SDRAM - Mobile LPDDR4
Warranty
6 months

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
1X1X1 cm
Peso bruto único:
0.010 kg

Plazo de entrega

Personalizacion

Descripciones de productos del proveedor

Cantidad mínima de pedido: 5 piezas
EUR 0.2129-2.13

Cantidad

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