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LYPM2337S1P JSRI comunica transistores de efecto de campo MOS Nuevos Circuitos integrados originales Componentes electrónicos fabricados en China

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
LYPM2337S1P
Tipo
IGBT Transistor
Marca
JSRI
Tipo de paquete
Montaje superficial

Otros atributos

Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
P comunica los transistores de efecto de campo MOS
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
SOT23-Contáctenos
Tipo
Transistores
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C
Serie
LYPM2337S1P
d/c
0,76 W
Uso
Interruptor de potencia de circuitos
Tipo de Proveedor
Agencia
Referencia cruzada
LYPM2337S1P
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
LYPM2337S1P
Corriente de colector (Ic) (máx.)
LYPM2337S1P
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
LYPM2337S1P
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
LYPM2337S1P
Corriente de colector de corte (Max)
LYPM2337S1P
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
LYPM2337S1P
Poder-Max
LYPM2337S1P
-Frecuencia de transición
LYPM2337S1P
Temperatura de funcionamiento
LYPM2337S1P
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
LYPM2337S1P
Resistencia-emisor Base (R2)
LYPM2337S1P
FET tipo
LYPM2337S1P
FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
LYPM2337S1P
Rds (Max) @ Id Vgs
LYPM2337S1P
Vgs (th) (Max) @ Id
LYPM2337S1P
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
LYPM2337S1P
Frecuencia
LYPM2337S1P
Corriente nominal (en amperios)
LYPM2337S1P
Ruido
LYPM2337S1P
Potencia de salida
LYPM2337S1P
-Tensión nominal
LYPM2337S1P
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
LYPM2337S1P
Vgs (Max)
LYPM2337S1P
Tipo IGBT de
LYPM2337S1P
Configuración
Puente completo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
LYPM2337S1P
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
LYPM2337S1P
De entrada
LYPM2337S1P
Termistor NTC
LYPM2337S1P
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
LYPM2337S1P
Corriente de drenaje (Id).
LYPM2337S1P
-Tensión de corte (VGS) @ Id
LYPM2337S1P
Resistencia-On (RDS)
LYPM2337S1P
Tensión
LYPM2337S1P
Tensión de salida-salida
LYPM2337S1P
-Tensión Offset (Vt)
LYPM2337S1P
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
LYPM2337S1P
Corriente de Valle Iv)
LYPM2337S1P
Corriente de pico
LYPM2337S1P
Aplicaciones
LYPM2337S1P
Tipo de Transistor
LYPM2337S1P
IC
LYPM2337S1P
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Nombre del producto
DC de paso abajo
Paquete
Paquetes originales
Número de parte
ICchip
Condición
Original 100%
Calidad
100% original 100% marca
Servicio
Servicio One Stop Bom
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Marca
Din-Tek Semiconductor Más información

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
100X100X100 cm
Peso bruto único:
0.030 kg

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Cantidad máxima de pedido: 10 pieza
Precio de la muestra:
EUR 6.24/pieza

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>= 3000 piezas
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