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Marca JMJKorea de baja inductancia 1700V 2,5 mOhm SiC MOSFET Semiconductores S450A17P01 Semiconductor de potencia

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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen
South Korea
Marca
JMJKorea
Número de Modelo
JEQ-1921
Tipo
Circuito integrado
VDS = 1700V, ID = 450A ,RDSON = 2,5
Baja oleada, baja pérdida de conmutación
Inductancia perdida baja
Conmutación de alta velocidad posible
Reducción de la dependencia de la temperatura
Placa base aislada
Vivienda estándar
Alta densidad de potencia

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