Tipo de montaje
Montaje del chasis
Descripción
Módulo IGBT Trench Field Stop Half Bridge
Lugar del origen
Bangladesh
Tipo
Parada de Trench Field
Temperatura de funcionamiento
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Uso
Parada de Trench Field
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Otros
Corriente de colector (Ic) (máx.)
50 A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
1200 V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
2,15 V @ 15V, 50A
Corriente de colector de corte (Max)
1 mA
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje en chasis
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
50 A
Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Frecuencia
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Corriente nominal (en amperios)
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Ruido
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-Tensión nominal
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vgs (Max)
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Tipo IGBT de
Parada de Trench Field
Configuración
Medio puente
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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Termistor NTC
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Aplicaciones
Módulo IGBT Trench Field Stop Half Bridge
Tipo de Transistor
Parada de Trench Field
