Tipo de montaje
Not Applicable
Descripción
IRFZ44N transistor MOSFET
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de Montaje
No aplicable
Resistencia-emisor Base (R2)
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
-
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Data table
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