Tipo de montaje
power transistor
Descripción
power transistor
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
power transistor
Temperatura de funcionamiento
2-100
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
3v
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
power transistor
Corriente de colector de corte (Max)
2-20
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
power transistor
-Frecuencia de transición
2-29
Temperatura de funcionamiento
1-100
Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
power transistor
Resistencia-emisor Base (R2)
power transistor
FET característica
GaNFET (de nitruro de galio)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
power transistor
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
power transistor
Rds (Max) @ Id Vgs
power transistor
Vgs (th) (Max) @ Id
power transistor
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
power transistor
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
power transistor
Frecuencia
power transistor
Corriente nominal (en amperios)
power transistor
Potencia de salida
power transistor
-Tensión nominal
power transistor
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
power transistor
Vgs (Max)
power transistor
Tipo IGBT de
power transistor
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
power transistor
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
power transistor
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
0-80
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1-10
Corriente de drenaje (Id).
2-20
-Tensión de corte (VGS) @ Id
2-20
Tensión de salida-salida
3-20
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
0-9
Corriente de Valle Iv)
1-8
Aplicaciones
power transistor
Tipo de Transistor
power transistor
Product Name
power transistor
Payment Way
Union Moneygram Escrow TT Paypal
Shipping By
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\ARAMEX
package
Original paper box,An-ti Plastic bag
LEAD TIME(Delivery Time)
5-7 Days
