Lugar del origen
Jiangsu, China
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Referencia cruzada
Por 50N06
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
Carburo de silicio (SiC)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
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Corriente de drenaje (Id).
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-Tensión de corte (VGS) @ Id
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Resistencia-On (RDS)
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Tensión de salida-salida
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-Tensión Offset (Vt)
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Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
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Corriente de Valle Iv)
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Corriente de pico
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Tipo
Transistor de efecto de campo
Palabras clave
MOSFET del irfz44n
Uso
Componentes electrónicos
Lugar de origen:
Jiangsu, China (continente)
Condición:
Nuevo y sin usar, original sellado
