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Oferta caliente Single FET Mosfet IC Chip Mejor precio Circuito integrado Componente electrónico BOM Servicio de suministro

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
SIR424DP-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
A través del agujero

Otros atributos

Tipo de montaje
Montaje en superficie
Descripción
N-CH MOSFET 20V 30A PPAK SO-8
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
SO8
Tipo
Circuito integrado
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Serie
Mosfet
d/c
Más reciente
Uso
Propósito general
Referencia cruzada
SIR424DP-T1-GE3
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
SIR424DP-T1-GE3
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje
Montaje superficial
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
190A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3,9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
140nC @ 4,5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
11490pF @ 15V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 6V
Aplicaciones
Propósito general
Tipo de Transistor
MOSFET
Nombre del producto
MOSFET SIR424DP-T1-GE3
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Empaquetado
Embalaje estándar
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Servicio
Servicio One Stop Bom
TIEMPO DE PLENO
1-3 días laborables
Calidad
100% original 100% marca
Garantía
1 año
Tiempo de entrega
3-5 días laborables
MOQ
10 Pcs

Plazo de entrega

Descripciones de productos del proveedor

100 - 999 piezas
EUR 0.3357
1000 - 2999 piezas
EUR 0.1918
>= 3000 piezas
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