Hot 4H-P Tipo 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas se puede procesar tamaño y forma sustrato de oblea de carburo de silicio Sic de Grado Cero

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Shenzhen Sunhokey Electronics Co., Ltd.11 yrs

CN

Hot 4H-P Tipo 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas se puede procesar tamaño y forma sustrato de oblea de carburo de silicio Sic de Grado Cero

Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen

China

Marca

-

Número de Modelo

SIC substrate wafer

Tipo

Oblea de sustrato SIC

Pago

Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance

Forma de envío

DHL.EMS.TNT.UPS.Fedex

Garantía

6 meses

Aplicación

Electrónica de potencia, radiofrecuencia, equipos de microondas

Especialidad

Conductividad termal excelente, dureza de alta resistencia, alta

Número

THG11

Plazo de entrega

Descripciones de productos del proveedor

Cantidad mínima de pedido: 10 piezas

EUR 777.14-1,165.71

Variaciones

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