Descripción
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Módulo/tipo de placa
Canal P
Procesador de núcleo
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Tamaño del núcleo
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Tamaño de la memoria de programa
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Convertidores de datos
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Controlador serie
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-Tensión de alimentación
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PAQUETE/cubierta
TO-263-3 / D2PAK (2 cables + pestaña) / TO-263AB
Número de núcleos/ancho de Bus
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RAM controladores
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Aceleración de gráficos
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Pantalla y controladores de interfaz
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Referencia cruzada
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Nombre del producto
Transistores de un solo FET
Paquete
Tape & Reel (TR) / Cut Tape (CT) / Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente-Drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ Id, Vgs
470mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs (TH) (Max) @ Id
5V @ 250uA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
