Condición del artículo
Nuevo
Interfaz ritmo cardíaco
12 Gb/s
Promedio Seek tiempo
2.0 ms
Peso ( incluyendo el paquete )
82 g
Material del armazón
Metal
Has External Power Supply
No
Número de Modelo
MZ-V9P1T0BW
Velocidad de lectura
601-700 MB/S
Velocidad de escritura
601-700 MB/S
Aplicar
PC cliente, consola de juegos
Interfaz
PCIe Gen 4,0x4, NVMe 2,0
Flash NAND
Samsung V-NAND 3-bit MLC
Controlador
El controlador de desarrollo propio de Samsung
Caché
SDRAM DDR4 de baja potencia de 1GB de Samsung
Lectura secuencial
Hasta 7.450 MB/s
Escrituras Secuenciales
Hasta 6.900 MB/s
Consumo medio de energía (nivel del sistema)
* Promedio: 5,4 W * Max: 7,8 W
Voltaje permisible
3,3 V ± 5% tensión admisible
