Descripción
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Módulo/tipo de placa
P-Channel
Procesador de núcleo
standard
Tamaño del núcleo
standard
Tamaño de la memoria de programa
standard
Convertidores de datos
standard
Controlador serie
standard
-Tensión de alimentación
standard
PAQUETE/cubierta
TO-236-3/SC-59/SOT-23-3
Número de núcleos/ancho de Bus
standard
RAM controladores
standard
Aceleración de gráficos
standard
Pantalla y controladores de interfaz
standard
Referencia cruzada
standard
Product Name
Transistor MOSFETs
Package
Tape & Reel (TR) / Cut Tape (CT) / Digi-Reel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
