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Transistores FETs individuales electrónicos 2N7000 N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3 Transistor FET

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GOODVIEW GLOBAL LIMITED1 yrHK
Transistores FETs individuales electrónicos 2N7000 N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3 Transistor FET
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
2N7000
Tipo
Transistores FETs individuales, MOSFETs
Marca
GOODVIEW
Tipo de paquete
A través del agujero

Otros atributos

Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
Transistor FET BC2N7000
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-226-3/TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo
Canal N
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
2N7000
d/c
24 +
Uso
Estándar
Tipo de Proveedor
ODM, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
Transistor FET
Poder-Max
400mW(Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
200mA (TA)
Rds (Max) @ Id Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
50 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4,5 V, 10V
Vgs (Max)
± 20V
Tipo de Transistor
Canal N
Nombre del producto
Transistor FET
Embalaje
A granel
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Envío
DHL UPS FedEx EMS DHL
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Calidad
100% original 100% marca
Servicio
Servicio One Stop Bom
Tiempo de plomo
3-7 días

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
1X1X1 cm
Peso bruto único:
0.100 kg
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Precio de la muestra:
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