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Semiconductor electrónico STW56N60M2 N-Channel 600 V 52A (Tc) 350W (Tc) Agujero pasante TO-247-3 Transistor Fet Mosfet

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GOODVIEW GLOBAL LIMITED1 yrHK
Semiconductor electrónico STW56N60M2 N-Channel 600 V 52A (Tc) 350W (Tc) Agujero pasante TO-247-3 Transistor Fet Mosfet
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
STW56N60M2
Tipo
FETs individuales, MOSFETs
Marca
GOODVIEW
Tipo de paquete
A través del agujero

Otros atributos

Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Tipo
Canal N
Temperatura de funcionamiento
150 °C (TJ)
Serie
STW56N60M2
d/c
24 +
Uso
Estándar
Tipo de Proveedor
ODM, Minorista, Otros
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
Transistor Fet Mosfet
Poder-Max
350W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
600 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
52A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
55mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3750 pF @ 100 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 25V
Tipo de Transistor
FETs / MOSFETs individuales
Nombre del producto
Transistor Fet Mosfet
Embalaje
Tubo
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Envío
DHL UPS FedEx EMS DHL
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Calidad
100% original 100% marca
Servicio
Servicio One Stop Bom
Tiempo de plomo
3-7 días

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Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
1X1X1 cm
Peso bruto único:
0.100 kg
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