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Semiconductor electrónico discreto IRFP460PBF Canal N 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Transistores Mosfet a través del orificio de transmisión a través de los transistores

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IRFP460PBF
Tipo
Single FETs, MOSFETs
Marca
GOODVIEW
Tipo de paquete
Through Hole

Otros atributos

Tipo de montaje
Through Hole
Descripción
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-247-3
Tipo
N-Channel
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
IRFP460PBF
d/c
24+
Uso
standard
Tipo de Proveedor
ODM, Minorista, Other
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
Single FETs, MOSFETs
Poder-Max
280W(Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje
A través del orificio
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
500 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
270mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4200 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de Transistor
Single FETs / MOSFETs
Product Name
MOSFET Transistor
Packaging
Tube
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Shipping
DHL UPS FedEx EMS DHL
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Quality
100% Original 100% Brand
Service
One Stop Bom Service
Lead Time
3 - 7 days

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
1X1X1 cm
Peso bruto único:
0.100 kg

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