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5SNA1200E330100 HiPak Single IGBT Semiconductor Placa base de silicio para capacidad de Ciclismo de alta potencia Hitachi Energy ABB

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Yiyue Singapore co ltd1 yrSG
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Atributos clave

Otros atributos

Lugar del origen
Switzerland
Marca
Hitachi Energy
Número de Modelo
5SNA1200E330100
Tipo
Oblea de silicio

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